大郭産業株式会社は、Zero Energy Solution Co., Ltd.と連携し、次世代パワー半導体材料として注目される酸化ガリウム（Ga₂O₃）ウエハの最新研究成果を公開いたします。
今回の研究では、るつぼを使用しない結晶成長技術（Crucible-less Process）と高酸素雰囲気下での独自プロセスにより、高品質な酸化ガリウム結晶の成長に取り組んでいます。
最新の研究結果では、電子移動度 約270 cm²/V·sを確認しており、今後はさらなる高品質化・大口径化に向けた研究開発を進めてまいります。
酸化ガリウムは、シリコン（Si）や炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）に続く次世代半導体材料として、高耐圧・低損失が求められるパワーデバイス分野などへの応用が期待されています。
また、2026年9月30日（水）～10月2日（金）に幕張メッセで開催される「高機能素材Week／高機能マテリアル展」にて、本研究による酸化ガリウムウエハを展示いたします。
実際のウエハをご覧いただける機会となりますので、ご来場の際はぜひ弊社ブースへお立ち寄りください。
会期：2026年9月30日（水）～10月2日（金）
会場：幕張メッセ
ブース番号：3ホール 15-9
詳細はプレスリリースをご確認ください。
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